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Technische Details DMP2006UFGQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 200nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -80A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMP2006UFGQ-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMP2006UFGQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 200nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMP2006UFGQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 |
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| DMP2006UFGQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Kind of package: reel; tape Gate charge: 200nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD |
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