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Technische Details DMP2006UFGQ-7 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 200nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMP2006UFGQ-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMP2006UFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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DMP2006UFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 |
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| DMP2006UFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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