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DMP2010UFG-13 DIODES INCORPORATED


DMP2010UFG.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details DMP2010UFG-13 DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -12.7A, On-state resistance: 12.5mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 103nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -80A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMP2010UFG-13 DMP2010UFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2010UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12.7A
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DMP2010UFG-13 DMP2010UFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2010UFG.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
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DMP2010UFG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2010UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
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