DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.53 EUR |
| 4000+ | 0.48 EUR |
| 10000+ | 0.46 EUR |
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Technische Details DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMP2010UFG-7 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP2010UFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm |
auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2010UFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V |
auf Bestellung 21381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2010UFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2010UFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2010UFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -12.7A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 103nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP2010UFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -12.7A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 103nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD |
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