DMP2010UFV-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 0.99 EUR |
| 24+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details DMP2010UFV-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP2010UFV-13 nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP2010UFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 8487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2010UFV-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2010UFV-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2010UFV-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 103nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP2010UFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP2010UFV-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 103nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -40A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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