
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.06 EUR |
10+ | 0.82 EUR |
100+ | 0.56 EUR |
500+ | 0.43 EUR |
1000+ | 0.38 EUR |
2000+ | 0.34 EUR |
4000+ | 0.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMP2010UFV-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMP2010UFV-7
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP2010UFV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
DMP2010UFV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
DMP2010UFV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: -20V Gate charge: 103nC On-state resistance: 12.5mΩ Power dissipation: 2W Drain current: -40A Pulsed drain current: -80A Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
DMP2010UFV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: -20V Gate charge: 103nC On-state resistance: 12.5mΩ Power dissipation: 2W Drain current: -40A Pulsed drain current: -80A Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |