Produkte > DIODES INCORPORATED > DMP2033UVT-7
DMP2033UVT-7

DMP2033UVT-7 Diodes Incorporated


DMP2033UVT.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.99 EUR
62+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.31 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMP2033UVT-7 Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3.4A, Pulsed drain current: -10A, Power dissipation: 1.7W, Case: TSOT26, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.2Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 10.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote DMP2033UVT-7

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMP2033UVT-7 DMP2033UVT-7 Hersteller : Diodes Inc dmp2033uvt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMP2033UVT-7 DMP2033UVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2033UVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMP2033UVT-7 DMP2033UVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2033UVT.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
DMP2033UVT-7 DMP2033UVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2033UVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar