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DMP2066UFDE-7 Diodes Incorporated


DMP2066UFDE.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
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Technische Details DMP2066UFDE-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMP2066UFDE-7 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP2066UFDE-7 DMP2066UFDE-7 Diodes Incorporated DMP2066UFDE.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 5743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.61 EUR
100+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.24 EUR
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DMP2066UFDE-7 DMP2066UFDE-7 Diodes Incorporated DMP2066UFDE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 46531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
34+0.62 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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DMP2066UFDE-7 DMP2066UFDE-7 DIODES INC. DMP2066UFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
294+0.79 EUR
393+0.55 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
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DMP2066UFDE-7 DMP2066UFDE-7 DIODES INC. 3199764.pdf Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
285+0.81 EUR
399+0.54 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 5743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.46 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
202+1.24 EUR
294+0.79 EUR
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553+0.39 EUR
1000+0.31 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
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Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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