DMP2069UFY4Q-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details DMP2069UFY4Q-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 530mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMP2069UFY4Q-7 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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DMP2069UFY4Q-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2069UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2069UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2015-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2069UFY4Q-7 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 8V24V X2-DFN2015-3 T&R 3K |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP2069UFY4Q-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW Case: X2-DFN2015-3 Mounting: SMD On-state resistance: 90mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -12A Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP2069UFY4Q-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW Case: X2-DFN2015-3 Mounting: SMD On-state resistance: 90mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -12A Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Type of transistor: P-MOSFET |
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