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DMP2110UW-7

DMP2110UW-7 Diodes Incorporated

DMP2110UW.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details DMP2110UW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp2110uw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp2110uw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2110UW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
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DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2110UW.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013315951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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