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DMP21D2UFA-7B

DMP21D2UFA-7B Diodes Zetex

dmp21d2ufa.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 590000 Stücke:
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Technische Details DMP21D2UFA-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DMP21D2UFA-7B nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP21D2UFA-7B DMP21D2UFA-7B Diodes Incorporated DMP21D2UFA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.11 EUR
20000+0.1 EUR
30000+0.099 EUR
50000+0.093 EUR
70000+0.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMP21D2UFA-7B DMP21D2UFA-7B Diodes Incorporated DMP21D2UFA.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 20VDS 8VGS 49pF
auf Bestellung 12079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMP21D2UFA-7B DMP21D2UFA-7B Diodes Incorporated DMP21D2UFA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
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DMP21D2UFA-7B DMP21D2UFA-7B DIODES INC. DIOD-S-A0013141236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
362+0.64 EUR
935+0.23 EUR
1198+0.18 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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DMP21D2UFA-7B DMP21D2UFA-7B DIODES INC. DIOD-S-A0013141236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
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DMP21D2UFA-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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362+0.64 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 330mA
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euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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