DMP21D2UFA-7B Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V
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Technische Details DMP21D2UFA-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP21D2UFA-7B nach Preis ab 0.079 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMP21D2UFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 20VDS 8VGS 49pF |
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DMP21D2UFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 15 V |
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DMP21D2UFA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP21D2UFA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D2UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP21D2UFA-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -260mA; Idm: -1.5A; 360mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.36W Case: X2-DFN0806-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| DMP21D2UFA-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -260mA; Idm: -1.5A; 360mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.36W Case: X2-DFN0806-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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