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Technische Details DMP2305UVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote DMP2305UVT-7 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMP2305UVT-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2305UVT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2305UVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2305UVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-CH MOSFET |
auf Bestellung 2977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2305UVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 19645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2305UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2305UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2305UVT-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| DMP2305UVT-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| DMP2305UVT-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.24 EUR |
| 15000+ | 0.21 EUR |
| DMP2305UVT-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-CH MOSFET
MOSFETs 20V P-CH MOSFET
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.06 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
| DMP2305UVT-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
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FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.18 EUR |
| 29+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| DMP2305UVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 198+ | 1.26 EUR |
| 314+ | 0.74 EUR |
| 532+ | 0.4 EUR |
| 646+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| DMP2305UVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: DIODES INC. - DMP2305UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.23 A, 0.045 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 198+ | 1.26 EUR |
| 314+ | 0.74 EUR |
| 532+ | 0.4 EUR |
| 646+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |