DMP26M7UFG-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMP26M7UFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14.5A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMP26M7UFG-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMP26M7UFG-13 | Hersteller : Diodes Inc |
 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP26M7UFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14.5A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| DMP26M7UFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP26M7UFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14.5A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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