DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
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Technische Details DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.
Weitere Produktangebote DMP26M7UFG-7 nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMP26M7UFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 4288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP26M7UFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP26M7UFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DMP26M7UFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP26M7UFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| 10+ | 2.23 EUR |
| 15+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| DMP26M7UFG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
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| DMP26M7UFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
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auf Bestellung 5 Stücke:
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| DMP26M7UFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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