DMP3007LSS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.62 EUR |
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Technische Details DMP3007LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMP3007LSS-13 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP3007LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 3007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3007LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2826 pF @ 15 V |
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DMP3007LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3007LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3007LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0041 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3007LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMP3007LSS-13 SMD P channel transistors |
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