DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.26W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.
Weitere Produktangebote DMP3010LPSQ-13 nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324 |
auf Bestellung 1502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2897500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3010LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.26W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
auf Bestellung 1491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DMP3010LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.26W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP3010LPSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.87 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2500+ | 0.63 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| DMP3010LPSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.78 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
| DMP3010LPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP3010LPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)