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DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13 Diodes Zetex

dmp3010lpsq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMP3010LPSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.26W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3010lpsq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3010LPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3010LPSQ.pdf MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
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10+1.65 EUR
100+1.13 EUR
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1000+0.86 EUR
2500+0.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3010LPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2897500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1807 Stücke:
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DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3010lpsq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP3010LPSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3010LPSQ.pdf DMP3010LPSQ-13 SMD P channel transistors
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