DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.30 EUR |
| 6000+ | 0.28 EUR |
| 9000+ | 0.27 EUR |
| 15000+ | 0.26 EUR |
| 21000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMP3013SFV-13 nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMP3013SFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3013SFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V |
auf Bestellung 29461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3013SFV-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3013SFV-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3013SFV-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3013SFV-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3013SFV-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP3013SFV-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.94W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.94W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 33.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP3013SFV-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.94W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.94W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 33.7nC |
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