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DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7 DIODES INCORPORATED

DMP3013SFV.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 0.94W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Technische Details DMP3013SFV-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.008 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940mW, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3013SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 0.94W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp3013sfv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
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4000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3013SFV.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
auf Bestellung 170350 Stücke:
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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : Diodes Zetex dmp3013sfv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008513542_1-2543083.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3013SFV.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V
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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.008 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMP3013SFV-7 DMP3013SFV-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.008 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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