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DMP3018SFV-7

DMP3018SFV-7 Diodes Incorporated


DMP3018SFV.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
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Technische Details DMP3018SFV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMP3018SFV-7 DMP3018SFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004366132_1-2542562.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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DMP3018SFV-7 DMP3018SFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3018SFV.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2147 pF @ 15 V
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DMP3018SFV-7 DMP3018SFV-7 Hersteller : DIODES INC. DMP3018SFV.pdf Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMP3018SFV-7 DMP3018SFV-7 Hersteller : DIODES INC. DMP3018SFV.pdf Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMP3018SFV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3018SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMP3018SFV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3018SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -70A
Case: PowerDI3333-8
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