Produkte > DIODES INCORPORATED > DMP3021SFVWQ-7
DMP3021SFVWQ-7

DMP3021SFVWQ-7 Diodes Incorporated


DMP3021SFVWQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMP3021SFVWQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMP3021SFVWQ-7 nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMP3021SFVWQ-7 DMP3021SFVWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3021SFVWQ.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.69 EUR
17+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3021SFVWQ-7 DMP3021SFVWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DMP3021SFVWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3021SFVWQ-7 DMP3021SFVWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DMP3021SFVWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3021SFVWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3021SFVWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.21 EUR
10+0.99 EUR
100+0.74 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3021SFVWQ-7 DMP3021SFVWQ-7 Hersteller : Diodes Inc dmp3021sfvwq.pdf 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH