DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 0.5 EUR |
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| 12500+ | 0.44 EUR |
| 25000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm, Verlustleistung Pd: 1.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMP3036SSD-13 nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
auf Bestellung 49851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss |
auf Bestellung 6255 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm Verlustleistung Pd: 1.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -80A Case: SO8 |
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