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DMP3050LVTQ-7

DMP3050LVTQ-7 Diodes Incorporated


DMP3050LVTQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMP3050LVTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

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DMP3050LVTQ-7 Hersteller : Diodes Zetex DMP3050LVTQ.pdf MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
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DMP3050LVTQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3050LVTQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K
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DMP3050LVTQ-7 Hersteller : Diodes Inc DMP3050LVTQ.pdf MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
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DMP3050LVTQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3050LVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -25A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -25A
Case: TSOT26
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMP3050LVTQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3050LVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -25A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -25A
Case: TSOT26
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