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DMP3056LSS-13

DMP3056LSS-13 Diodes Zetex

1453ds31421.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
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Technische Details DMP3056LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 1453ds31421.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31419.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 1453ds31421.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex 1453ds31421.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31419.pdf MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A
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10+0.66 EUR
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1000+0.27 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31419.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMP3056LSS-13 Hersteller : Diodes INC. ds31419.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 7,1; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 722 @ 25; Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В; Rds = 45 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА; SOICN-8
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DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31419.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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