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DMP3056LSSQ-13

DMP3056LSSQ-13 Diodes Zetex

dmp3056lssq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
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Technische Details DMP3056LSSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3056LSSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.28 EUR
5000+0.27 EUR
12500+0.26 EUR
17500+0.25 EUR
25000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956451_1-2543880.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.25 EUR
10+0.79 EUR
100+0.52 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.28 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3056LSSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.28 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : DIODES INC. 2918025.pdf Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : DIODES INC. 2918025.pdf Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3056lssq.pdf Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Automotive AEC-Q101
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DMP3056LSSQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmp3056lssq.pdf MOSFET BVDSS: 25V30V SO-8 T&R 2.5K
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3056LSSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.9A; Idm: -25A; 1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMP3056LSSQ-13 DMP3056LSSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3056LSSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.9A; Idm: -25A; 1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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