DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 0.24 EUR |
| 5000+ | 0.23 EUR |
| 12500+ | 0.21 EUR |
| 25000+ | 0.2 EUR |
| 62500+ | 0.19 EUR |
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Technische Details DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.1W, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMP3085LSD-13 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 271507 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A |
auf Bestellung 296720 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm Dauer-Drainstrom Id: 3.9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.1W SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm Dauer-Drainstrom Id: 3.9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.1W SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3085LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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