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DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13 Diodes Zetex

dmp3085lss.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMP3085LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3085lss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3085lss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3085lss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3085LSS.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3085LSS.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3085LSS.pdf MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
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4+0.72 EUR
10+0.45 EUR
100+0.22 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS20545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS20545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3085lss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmp3085lss.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3085LSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -20A; 1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMP3085LSS-13 DMP3085LSS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3085LSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -20A; 1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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