
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMP3085LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMP3085LSS-13 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V |
auf Bestellung 22394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() |
auf Bestellung 4988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -20A; 1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
DMP3085LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -20A; 1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |