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DMP3105LVT-7

DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated

DMP3105LVT.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
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Technische Details DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.15W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated DMP3105LVT.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V
auf Bestellung 12629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated DMP3105LVT.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 TSOT23,3K
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.63 EUR
100+0.39 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005038919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.15W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.94 EUR
378+0.62 EUR
575+0.37 EUR
770+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005038919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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Verlustleistung: 1.15W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.94 EUR
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DMP3105LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V
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DMP3105LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
268+0.94 EUR
378+0.62 EUR
575+0.37 EUR
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