
DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
auf Bestellung 2235000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.74 EUR |
5000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMP34M4SPS-13 nach Preis ab 0.81 EUR bis 2.68 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2236311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 9442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 127nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -350A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP34M4SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -350A; 3W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 127nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -350A |
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