DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 1 EUR |
| 25+ | 0.71 EUR |
| 28+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 250+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote DMP4015SPSQ-13 nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4015SPSQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W |
auf Bestellung 1334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMP4015SPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP4015SPSQ-13 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W
MOSFETs 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 25+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.59 EUR |
| 250+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| DMP4015SPSQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)