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DMP4025SFGQ-7

DMP4025SFGQ-7 Diodes Zetex

dmp4025sfgq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 7.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DMP4025SFGQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP4025SFGQ-7 DMP4025SFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP4025SFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMP4025SFGQ-7 DMP4025SFGQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E186DF3147D8BF&compId=DMP4025SFGQ.pdf?ci_sign=4aa131b446a52f608ac7e6eaf2e2bf2e36fdb6e1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.4A; 0.81W; PowerDI®3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Drain-source voltage: -40V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.81W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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68+1.06 EUR
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500+0.34 EUR
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.4A; 0.81W; PowerDI®3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Drain-source voltage: -40V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.81W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
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DMP4025SFGQ-7 DMP4025SFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006895829_1-2542831.pdf MOSFETs 40V P-CH Enhance Mode
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DMP4025SFGQ-7 DMP4025SFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP4025SFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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