DMP45H21DHE-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details DMP45H21DHE-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 450V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMP45H21DHE-13 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.16 EUR
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Preis | ||||||||||||
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DMP45H21DHE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003 pF @ 25 V |
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DMP45H21DHE-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMP45H21DHE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 251V-500V |
auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP45H21DHE-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP45H21DHE-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -400mA; Idm: -1.2A; 8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.2nC Drain current: -0.4A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP45H21DHE-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -400mA; Idm: -1.2A; 8W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -450V Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.2nC Drain current: -0.4A |
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