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DMP56D0UFB-7

DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated

DMP56D0UFB.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA
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Technische Details DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 425mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP56D0UFB-7 DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated DMP56D0UFB.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
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DMP56D0UFB-7 DMP56D0UFB-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014137288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMP56D0UFB-7 DMP56D0UFB-7 DIODES INC. DIOD-S-A0014137288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMP56D0UFB-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
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