DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
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| 1000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 425mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMP56D0UFB-7 nach Preis ab 0.39 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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DMP56D0UFB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN |
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DMP56D0UFB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMP56D0UFB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMP56D0UFB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN |
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