Produkte > DIODES INCORPORATED > DMP56D0UFB-7B
DMP56D0UFB-7B

DMP56D0UFB-7B Diodes Incorporated


DMP56D0UFB.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V
auf Bestellung 190000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMP56D0UFB-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 425mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMP56D0UFB-7B nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.60 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMP56D0UFB-7B DMP56D0UFB-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMP56D0UFB.pdf MOSFETs P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 111418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.60 EUR
10+0.40 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP56D0UFB-7B DMP56D0UFB-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMP56D0UFB.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V
auf Bestellung 226163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.60 EUR
44+0.40 EUR
100+0.27 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP56D0UFB-7B DMP56D0UFB-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014137288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP56D0UFB-7B DMP56D0UFB-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014137288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP56D0UFB-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP56D0UFB.pdf DMP56D0UFB-7B SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH