DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.19 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 2500+ | 1.32 EUR |
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Technische Details DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.
Weitere Produktangebote DMP6018LPSQ-13 nach Preis ab 1.74 EUR bis 5.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMP6018LPSQ-13 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6018LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.9 EUR |
| 10+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| DMP6018LPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 44+ | 5.72 EUR |
| 64+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.55 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.96 EUR |