DMP6023LE-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMP6023LE-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 17.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 17.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMP6023LE-13 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V |
auf Bestellung 350000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF |
auf Bestellung 28267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMP6023LE-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |