DMP6023LFGQ-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMP6023LFGQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote DMP6023LFGQ-7 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.23 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 116000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 332000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
auf Bestellung 46421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
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| DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.2A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 1W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMP6023LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.2A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 1W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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