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DMP6110SSD-13

DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated

DMP6110SSD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMP6110SSD-13 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP6110SSD-13 DMP6110SSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+1.38 EUR
220+1.06 EUR
309+0.69 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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DMP6110SSD-13 DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated DMP6110SSD.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
19+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMP6110SSD-13 DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated DMP6110SSD.pdf MOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
auf Bestellung 5180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMP6110SSD-13 DMP6110SSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.58 EUR
196+1.19 EUR
301+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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DMP6110SSD-13 DIOD-S-A0002832714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP6110SSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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DMP6110SSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
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10+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMP6110SSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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159+1.58 EUR
196+1.19 EUR
301+0.71 EUR
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