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DMP6110SSSQ-13

DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated

DMP6110SSSQ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
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Technische Details DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET PCH 60V 8SO, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta).

Weitere Produktangebote DMP6110SSSQ-13 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated DMP6110SSSQ-1545864.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2783 Stücke:
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3+1.27 EUR
10+0.83 EUR
100+0.56 EUR
500+0.46 EUR
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DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated DMP6110SSSQ.pdf Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.44 EUR
20+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
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DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 DIODES INC. DMP6110SSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 DIODES INC. DMP6110SSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMP6110SSSQ-13
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMP6110SSSQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
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FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ.pdf
DMP6110SSSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP6110SSSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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