DMP6110SVT-7 DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.5A; 1.2W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 0.79 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 151+ | 0.48 EUR |
| 169+ | 0.42 EUR |
| 250+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details DMP6110SVT-7 DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - DMP6110SVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMP6110SVT-7 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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DMP6110SVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.5A; 1.2W; TSOT26 Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: -6.5A On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V |
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DMP6110SVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs |
auf Bestellung 18082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6110SVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP6110SVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6110SVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6110SVT-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP6110SVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V |
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