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DMPH1006UPSQ-13

DMPH1006UPSQ-13 Diodes Zetex

dmph1006upsq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMPH1006UPSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph1006upsq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph1006upsq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6334 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6334 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 10
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011756480_1-2543601.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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10+1.43 EUR
100+1.06 EUR
250+1.05 EUR
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2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmph1006upsq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH1006UPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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DMPH1006UPSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH1006UPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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