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Technische Details DMPH1006UPSQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W, Case: PowerDI5060-8, Power dissipation: 3.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 124nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: -140A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: -12V, Drain current: -60A, On-state resistance: 3.5Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote DMPH1006UPSQ-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMPH1006UPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8 |
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DMPH1006UPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8 |
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DMPH1006UPSQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMPH1006UPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 124nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Drain-source voltage: -12V Drain current: -60A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMPH1006UPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 124nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Drain-source voltage: -12V Drain current: -60A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: P-MOSFET |
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