DMPH4011SK3Q-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 125 Stücke:
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Technische Details DMPH4011SK3Q-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMPH4011SK3Q-13 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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DMPH4011SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4011SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4011SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 31V40V TO252 T&R 2.5K |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4011SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -56A; Idm: -316A; 3.7W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -56A Pulsed drain current: -316A Power dissipation: 3.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMPH4011SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4497 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMPH4011SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -56A; Idm: -316A; 3.7W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -56A Pulsed drain current: -316A Power dissipation: 3.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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