DMPH4013SK3Q-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMPH4013SK3Q-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMPH4013SK3Q-13 nach Preis ab 0.7 EUR bis 2.52 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K |
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMPH4013SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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