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DMPH4013SK3Q-13

DMPH4013SK3Q-13 Diodes Incorporated


DMPH4013SK3Q.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMPH4013SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated diodes_inc_diod-s-a0006644047-1-1749366.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH4013SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006644047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006644047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : Diodes Inc dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH4013SK3Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 3.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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DMPH4013SK3Q-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH4013SK3Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 3.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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