DMPH4015SPSQ-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMPH4015SPSQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMPH4015SPSQ-13 nach Preis ab 0.82 EUR bis 3.06 EUR
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DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -100A; 2.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 2.6W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
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| DMPH4015SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -100A; 2.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 2.6W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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