
DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.3 EUR |
5000+ | 0.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMPH4015SSSQ-13 nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.31 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() |
auf Bestellung 2347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.1A Pulsed drain current: -85A Power dissipation: 1.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH4015SSSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.1A; Idm: -85A; 1.8W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.1A Pulsed drain current: -85A Power dissipation: 1.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |