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DMPH4015SSSQ-13

DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex

dmph4015sssq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMPH4015SSSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex dmph4015sssq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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DMPH4015SSSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex dmph4015sssq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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DMPH4015SSSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013030236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2079 Stücke:
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126+1.86 EUR
179+1.2 EUR
500+0.95 EUR
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DMPH4015SSSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013030236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMPH4015SSSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 Diodes Incorporated DMPH4015SSSQ.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
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DMPH4015SSSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 Diodes Incorporated DMPH4015SSSQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1+3.45 EUR
10+2.18 EUR
100+1.44 EUR
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DMPH4015SSSQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
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Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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DMPH4015SSSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMPH4015SSSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 1225 Stücke:
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1+3.45 EUR
10+2.18 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
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