Produkte > DIODES ZETEX > DMPH6050SFGQ-7
DMPH6050SFGQ-7

DMPH6050SFGQ-7 Diodes Zetex

dmph6050sfgq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.4 EUR
4000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMPH6050SFGQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMPH6050SFGQ-7 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmph6050sfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.4 EUR
4000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmph6050sfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
294+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmph6050sfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
285+0.51 EUR
291+0.48 EUR
294+0.46 EUR
337+0.38 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH6050SFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.59 EUR
4000+0.54 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567093_1-2542549.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.38 EUR
10+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH6050SFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.94 EUR
14+1.3 EUR
100+0.9 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004567093-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004567093-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmph6050sfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : Diodes Inc 123dmph6050sfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH6050SFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.2A; Idm: -32A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH6050SFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.2A; Idm: -32A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.2A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH