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DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13 Diodes Zetex


dmph6050ssdq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMPH6050SSDQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph6050ssdq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH6050SSDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH6050SSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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100+0.84 EUR
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2500+0.53 EUR
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMPH6050SSDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.22 EUR
13+1.4 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1180 Stücke:
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmph6050ssdq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmph6050ssdq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH6050SSDQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.7A; Idm: -35A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.7A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMPH6050SSDQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.7A; Idm: -35A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.7A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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