
DMPH6050SSDQ-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMPH6050SSDQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMPH6050SSDQ-13 nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.7A; Idm: -35A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.7A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMPH6050SSDQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.7A; Idm: -35A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.7A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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