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Technische Details DMT10H009LCG-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 7200 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.
Weitere Produktangebote DMT10H009LCG-7 nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMT10H009LCG-7 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT10H009LCG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT10H009LCG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 7200 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DMT10H009LCG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 7200 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMT10H009LCG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.84 EUR |
| 10+ | 1.99 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 2000+ | 0.98 EUR |
| 4000+ | 0.92 EUR |
| DMT10H009LCG-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.2 EUR |
| 11+ | 2.03 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| DMT10H009LCG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 7200 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 7200 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMT10H009LCG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 7200 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 7200 µohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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