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DMT10H009LH3 Diodes Incorporated


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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
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Technische Details DMT10H009LH3 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 84A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT10H009LH3 DMT10H009LH3 Diodes Incorporated DMT10H009LH3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
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DMT10H009LH3 DMT10H009LH3 Diodes Zetex dmt10h009lh3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
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DMT10H009LH3 dmt10h009lh3.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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