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DMT10H009LK3-13

DMT10H009LK3-13 Diodes Zetex

dmt10h009lk3.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1942500 Stücke:
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Technische Details DMT10H009LK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H009LK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
auf Bestellung 1935000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009645511_1-2543298.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 12625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.27 EUR
10+1.59 EUR
100+1.23 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMT10H009LK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
auf Bestellung 1935612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
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1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Hersteller : DIODES INC. 2918032.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Hersteller : DIODES INC. 2918032.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H009LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: TO-252
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMT10H009LK3-13 DMT10H009LK3-13 Hersteller : Diodes Zetex dmt10h009lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMT10H009LK3-13 Hersteller : Diodes Inc dmt10h009lk3.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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DMT10H009LK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMT10H009LK3.pdf DMT10H009LK3-13 SMD N channel transistors
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