DMT10H009SK3-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
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Technische Details DMT10H009SK3-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMT10H009SK3-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm |
auf Bestellung 3041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT10H009SK3-13 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMT10H009SK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 360A; 3.2W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 9.1mΩ Drain current: 75A Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 34nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 360A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMT10H009SK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V |
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DMT10H009SK3-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K |
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| DMT10H009SK3-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 360A; 3.2W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 9.1mΩ Drain current: 75A Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 34nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 360A |
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