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DMT10H009SK3-13

DMT10H009SK3-13 Diodes Zetex

dmt10h009sk3.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Technische Details DMT10H009SK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H009SK3.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691684-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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500+2.02 EUR
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DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691684-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3.pdf
DMT10H009SK3-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMT10H009SK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1196 Stücke:
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100+2.17 EUR
500+2.02 EUR
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DMT10H009SK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1196 Stücke:
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58+4.32 EUR
85+2.74 EUR
100+2.17 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH